精密霍尔效应测量系统，广泛应用于半导体材料、低阻材料和高阻材料等物理性能的研究；可对多种重要物理参量如：电阻率、霍尔系数、载流子浓度、迁移率、磁电阻和V-I曲线等测量和分析；可测试材料: 半导体材料：包括 SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, and HgCdTe,砖石铁,氧体材料; 低阻材料：包括金属、透明氧化物、稀磁半导体器件和TMR材料 高阻材料：包括半导体绝缘材料、GaAs、GaN、CdTe和光电探测器。

技术参数：
电流源: 
测量范围: 1nA - 10 mA 
输出电压: +/- 10V (+/-20V) 
输出电阻: typical 1013 Ohms 
电流分辨率: 25 pA

电压测量：
测量范围: 10 mV - 10V（自动量程选择）
分辨率 : <500nV
输入电阻: > 1013 Ohms

磁场范围：0.45T~2T（牛津磁体）；

电阻测量范围: 1x10-3 Ohm - 1x109 Ohm
电阻率测量范围: 1 x10-5 Ohm*cm - 1x107 Ohm*cm
载流子浓度范围: 107 cm-3 - 1021 cm-3

主要特点：
电阻率Rho测量；
霍尔系数RH测量；
V-I曲线测量；
VH电压测量；
载流子浓度测量；
载流子迁移率测量；
载流子形式测量（n or p）;
磁电阻等；

独有的非线性电压补偿功能；
磁场大小可调；
自动磁场校准；
低温选件：77K；
Van der Pauw和桥式barshape测量；